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靜電放電的三種模式

點(diǎn)擊次數(shù):879 更新時(shí)間:2023-06-01

靜電放電的三種模式:

靜電對(duì)電子產(chǎn)品的損害有多種形式,其中最常見、危害最大的是靜電放電(ESD)。帶靜電的物體與元器件有電接觸時(shí),靜電會(huì)轉(zhuǎn)移到元器件上或通過元器件放電;或者元器件本身帶電,通過其它物體放電。這兩種過程都可能損傷元器件,損傷的程度與靜電放電的有關(guān)。實(shí)際過程中靜電的來源有很多,放電的形式也有多種。但通過對(duì)靜電的主要來源以及實(shí)際發(fā)生的靜電放電過程的研究認(rèn)為,對(duì)元器件造成損傷的主要是三種模式,即帶點(diǎn)人體靜電放電模式、帶電機(jī)器的放電模式和充電器件的放電模式。   

 1.帶電的人體的放電模式(HBM)  

由于人體會(huì)與各種物體間發(fā)生接觸和磨擦,又與元器件接觸,所以人體易帶靜電,也容易對(duì)元器件造成靜電損傷。普遍認(rèn)為大部分元器件靜電損傷是由人體靜電造成的。帶靜電的人體可以等效為等效電路,這個(gè)等效電路又稱人體靜電放電模型(Human Body Model)。其中,Vp帶靜電的人體與地的電位差,Cp帶靜電的人體與地之間的電容量,一般為50-250pF;Rp人體與被放電體之間的電阻值,一般為102-105Ω。

人體與被放電體之間的放電有兩種。即接觸放電和電弧放電。接觸放電時(shí)人體與被放電之間的電阻值是個(gè)恒定值。電弧放電是在人體與被放電體之間有一定距離時(shí),它們之間空間的電場(chǎng)強(qiáng)度大于其介質(zhì)(如空氣)的介電強(qiáng)度,介質(zhì)電離產(chǎn)生電弧放電,暗場(chǎng)中可見弧光。電弧放電的特點(diǎn)是在放電的初始階段,因?yàn)榭諝馐?*導(dǎo)體,放電通道的阻抗較高,放電電流較?。浑S著放電的進(jìn)行,通道溫度升高,引起局部電離,通道阻抗逐漸降低,電流增大,直至達(dá)到一個(gè)峰值;然后,隨著人體靜電能量的釋放,電流逐漸減少,直至電弧消失.     

2.帶電機(jī)器的放電模式  

機(jī)器因?yàn)槟Σ粱蚋袘?yīng)也會(huì)帶電。帶電機(jī)器通過電子元器件放電也會(huì)造成損傷。機(jī)器放電的模型(Machine Model)。與人體模式相比,機(jī)器沒有電阻,電容則相對(duì)要大。      

3.充電器件的放電模型  在元器件裝配、傳遞、試驗(yàn)、測(cè)試、運(yùn)輸和儲(chǔ)存的過程中由于殼體與其它材料磨擦,殼體會(huì)帶靜電。一旦元器件引出腿接地時(shí),殼體將通過芯體和引出腿對(duì)地放電。這種形式的放電可用所謂帶電器件模型(Charged-Device Model,CDM)來描述。下面以雙極型和MOS型半導(dǎo)體器件為例給出靜電放電的等效電路。雙極型器件的CDM等效電路,Cd為器件與周圍物體及地之間的電容,Ld為器件導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)的等效電感,Rd為芯片上放電電流通路的等效電阻。串聯(lián)著的Rd、Cd和Ld等效于帶電器件。開關(guān)S合上表示器件與地的放電接觸,接觸電阻為Rc。   

MOS器件的CDM等效電路。由于MOS器件各個(gè)管腿的放電時(shí)間長(zhǎng)短相差很大,所以要用不同的放電通路來模擬,每條放電通路都用其等效電容、電阻和電感來表示。當(dāng)開關(guān)S閉合而且有任一個(gè)管腿接地時(shí),各通路存儲(chǔ)的電荷將要放電。若在放電過程中,各個(gè)通路的放電特性不同,就會(huì)引起相互間的電勢(shì)差。這一電勢(shì)差也會(huì)造成器件的損壞,如柵介質(zhì)擊穿等?! ?/span>

器件放電等效電容Cd的大小和器件與周圍物體之間的位置及取向有關(guān),有相關(guān)的表格給出了雙列直插封裝器件在不同取向時(shí)的等效電容值,可見管殼的取向不同,電容可相差十幾倍,因而其靜電放電閾值可以有顯著差別。


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